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小信號(hào)開關(guān)二極管
小信號(hào)肖特基二極管
小信號(hào)穩(wěn)壓管
小信號(hào)三極管
整流二極管
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MOSFET
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小信號(hào)數(shù)字三極管
功率穩(wěn)壓管
SiC汽車電子
IGBT汽車電子

整流器件

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快恢復(fù)二極管
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超快恢復(fù)二極管
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汽車電子整流器件
整流二極管快恢復(fù)二極管肖特基二極管

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瞬態(tài)抑制二極管
晶閘浪涌保護(hù)器
靜電保護(hù)二極管
穩(wěn)壓管

可控硅
單向可控硅雙向可控硅

汽車電子保護(hù)器件
瞬態(tài)抑制二極管靜電保護(hù)二極管功率穩(wěn)壓管

小信號(hào)

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小信號(hào)肖特基二極管
小信號(hào)穩(wěn)壓管
小信號(hào)三極管
小信號(hào)數(shù)字三極管
功率三極管

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MOSFET

ALL MOSFET
汽車電子MOSFET

高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

中低壓MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET Dual N-Channel MOSFET Dual P-Channel MOSFET Half-bridge MOSFET

SiC

SiC肖特基二極管單管
SiC MOSFET單管
SiC二極管模塊
SiC MOSFET模塊
汽車SiC肖特基二極管
汽車SiC MOSFET

IGBT

IGBT模塊
IGBT單管
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模塊

整流模塊
快恢復(fù)模塊
肖特基模塊
晶閘管模塊
晶閘管混合模塊

平板型分立器件

普通晶閘管
快速晶閘管
雙向晶閘管
普通整流管
快恢復(fù)整流管
焊接整流管

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護(hù)芯片

8寸晶圓

集成電路

負(fù)載開關(guān)
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品參照

中文 EN

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新品發(fā)布

應(yīng)用于PD電源的100V 3.2mΩ SGT MOSFET新品

應(yīng)用于PD電源的100V 3.2mΩ SGT MOSFET新品 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹近年來PD電源領(lǐng)域，各種大電流充電協(xié)議的迅速普及，對(duì)同步整流MOSFET的FOM值要求更為嚴(yán)苛。揚(yáng)杰科技推出先進(jìn)的Copper Clip PDFN5060封裝產(chǎn)品YJG120G10AR/YJG120G10BR，在減小傳統(tǒng)PDFN5060的封裝電阻的同時(shí)，降低了封裝寄生參數(shù)，提高了散熱能力，為客戶帶來更優(yōu)的選擇。

產(chǎn)品特點(diǎn) ?采用SGT工藝，獲得較低的Rds（on）和Qg，帶來更低的FOM，減小PD方案中的系統(tǒng)損耗 ?對(duì)比傳統(tǒng)PDFN5060封裝，Clip產(chǎn)品過流能力強(qiáng)，熱阻低，更寬范圍的SOA，以應(yīng)對(duì)PD電源中，各種異常工作狀態(tài)

規(guī)格書

YJG120G10BR YJG120G10AR

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